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T/IAWBS 021-2024 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法

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发表于 2024-5-24 21:34:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓(包含切口)的检验方法。本文件适用于检验倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓(包含切口),其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。

标准编号:T/IAWBS 021-2024
标准名称:碳化硅晶片边缘轮廓检验方法
英文名称:Test methods for edge contour of silicon carbide wafers
发布部门:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期:2024-04-01
实施日期:2024-04-09
标准状态:现行
起草单位:北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、山东有研半导体材料有限公司
起草人员:佘宗静、彭同华、王大军、刘祎晨、王波、赵宁、张平、杨建、郑红军、蔡丽艳
文件大小:462.96KB
文件格式:PDF
文件页数:7页

标准全文下载:
TIAWBS 021-2024 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法.pdf (462.96 KB)

封面截图如下:
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