本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检验方法。本文件适用于检验倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。
标准编号：T/IAWBS 021-2024
标准名称：碳化硅晶片边缘轮廓检验方法
英文名称：Test methods for edge contour of silicon carbide wafers
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：2024-04-01
实施日期：2024-04-09
起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、山东有研半导体材料有限公司
起草人员：佘宗静、彭同华、王大军、刘祎晨、王波、赵宁、张平、杨建、郑红军、蔡丽艳
文件大小：462.96KB
文件格式：PDF
文件页数：7页
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