本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。
本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)、碳化硅(SiC)二极管以及二者混合封装器件的测试。
标准编号：T/IAWBS 025-2025
标准名称：碳化硅器件功率循环试验方法
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：2025-09-24
实施日期：2025-10-10
文档格式：PDF
文档页数：9页
文档大小：705.66KB
标准全文下载：
封面截图如下：
 |
声明：
1、内容来自用户上传，仅供会员交流学习，禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除；
2、如涉及侵权问题，请立即告知本站(std_123@foxmail.com)，本站将及时删除并致以最深的歉意；
