碳化硅作为第三代高功率半导体新材料的代表，碳化硅器件已经获得了业界极大的期望和关注。面向市场的快速普及，对碳化硅抛光片的质量提出更高要求，高品质的呼声越发高涨。因此，快速检测单晶碳化硅抛光片的微管密度和使用面的划痕、颗粒等表面缺陷，准确统计各类缺陷的数量和分布，是改善碳化硅抛光片品质、提高碳化硅抛光片产能的必要手段，确定一个准确可靠的碳化硅单晶片微管密度及表面质量检测方法和标准化检测机制，对于碳化硅单晶片的研发、生产和应用过程中产品表面质量的统一控制有重要的意义。
标准编号：T/IAWBS 012-2019
标准名称：碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法
英文名称：Test Method for Surface Quality and Micropipe?Density?of Silicon Carbide?Single Crystal?Polishing Wafers——Confocal and Differential Interferometry Optics
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
文件格式：PDF
文件页数：9页
文件大小：1.56MB
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