SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚的优势，特别在高温、高频、强磁场、抗辐射等方面显示出独特的优势。
高纯半绝缘SiC衬底在通信领域有大量应用，同时，高纯半绝缘SiC衬底作为GaN HEMT微波功率器件的关键衬底材料，具有重要的军事意义。随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。
高纯半绝缘SiC衬底电阻率的大小及分布的均匀性是影响器件质量的关键参数。因此，准确测量SiC衬底电阻率，对改进衬底制备工艺及器件电学性能具有重要的意义。研究高纯半绝缘SiC电阻率非接触测量方法，统一行业内测试标准，对SiC相关行业之间交流及发展具有重大推动作用。
标准编号：T/IAWBS 013-2019
标准名称：半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
英文名称：The measurement method of resistivity for semi-insulating silicon carbide substrate
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
文件格式：PDF
文件页数：9页
文件大小：533.02KB
标准全文下载：
文档首页截图如下：
 |
声明：
1、内容来自用户上传，仅供会员交流学习，禁止用于商业用途,下载后请在24小时之内删除；
2、如涉及侵权问题，请立即告知本站(std_123@foxmail.com)，本站将及时删除并致以最深的歉意；
