T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法

显示全部楼层 · 发表于 2021-8-31 01:01:31

碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。碳化硅单晶电阻率的测试，是衡量碳化硅单晶片质量好坏的关键参数之一，关于导电碳化硅单晶片电阻率非接触涡流测试方法，国内都没有统一的标准，也没有形成统一的行业标准或地方标准，因此本标准的制定，将填补国内导电碳化硅半导体材料在技术领域的标准空白。本标准的实施将为导电碳化硅单晶生长企业的销售及用户选择合适的产品提供依据，并将规范我国导电碳化硅半导体材料产业，从而促进该产业的健康有序发展，进而将提升我国碳化硅半导体企业在国际市场上的影响力。
标准编号：T/IAWBS 011-2019
标准名称：导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
英文名称：Test methods for measuring resistivity of conductive silicon carbide wafers with a noncontact eddy-current gauge
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
标准状态：现行
文件格式：PDF
文件页数：10页
文件大小：451.66KB

标准全文下载：

TIAWBS 011-2019.pdf (451.66 KB)

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