本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。
标准编号：T/IAWBS 014-2021
标准名称：碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法
英文名称：Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布日期：2021-09-15
实施日期：2021-09-22
文件格式：PDF
文件页数：11页
文件大小：926.90KB
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