标准编号：T/CASAS 005-2022
标准名称：用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法
英文名称：Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor(HEMT) in hard-switching circuits
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2022-09-16
实施日期：2022-09-16
标准状态：现行
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、佛山市联动科技股份有限公司、珠海镓未来科技有限公司、东南大学、英诺赛科（珠海）科技有限公司、浙江大学、大连理工大学、西安电子科技大学、西交利物浦大学、江南大学、北京大学、佛山市国星光电股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人员：贺致远、田飞飞、吴毅锋、李胜、银杉、吴新科、董泽政、施宜军、陈媛、刘斯扬、李凯、陈希辰、刘庆源、黄火林、李祥东、刘雯、闫大为、王茂俊、袁海龙、王琦、张旭、高伟
文件大小：504.95KB
文件格式：PDF
文件页数：13页
发表于 2024-3-27 18:23:50
